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国产光刻机，突破8nm了吗？
工信部公布的氟化氩光刻机是65nm的分辨率，那么单次曝光能够达到的工艺制程节点大概就在65nm左右。套刻8纳米是什么意思？“套刻精度”指的是“每层之间的对准精度”，也就是 芯片“一层图案曝光完成后，再在上面继续下一层曝光”制造过...
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英特尔再次拿下“2nm光刻机”但一切都太晚了！
为了能够反超追上台积电，英特尔甚至不惜斥巨资采购最新款的2nm光刻机，也就是ASML最新研发的High NA EUV（极紫外光刻机），其分辨率达到8纳米，是实现2nm以下先进制程大规模量产的设备。早在...
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一台售价7亿的光刻机，制造的芯片才值几千块钱，我们真的需要吗
在65nm工艺及以前，工艺节点的数值几乎和光刻机的最高分辨率是一致的。由于镜头数值孔径并没有太大变化，所以工艺节点的水平主要由光源波长决定，ArF193nm波长可实现的最高工艺节点就是65nm。而...
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国产套刻8nm光刻机引争议，我们追赶对象真的是ASML吗？
中国已攻克氟化氩光刻机，其中该目录中，公开可见的与光刻机代际水平和性能等密切相关的光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm指...
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国产光刻机，究竟发展到哪一步了？90nm，还是7nm？
而前道光刻机又分为i线、G线、KrF、ArF、ArFi、EUV这么几种，其中ArF是普通干式光刻机，最高工艺支持到65nm，ArFi则是浸润式光刻机，最高支持工艺是7nm。EUV是极紫外线光刻机，用于7nm工艺以下...
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光刻机nm指的是什么
duv 光刻机 和euv 光刻机 区别 1.基本上duv只能做到25 nm ，而euv能够做到10 nm 以下晶圆的生产。 2. duv主要使用的是光的折射原理，而euv使用的光的反射原理，内部必须是真空操作。 以上就是duv 光刻机 和euv 光刻机 区别了，现在基本都是euv 光刻机
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光刻机5nm和7nm的区别
中芯国际有多少台投入生产的 光刻机 ？是1台、5台还是10台呢？谢谢 谢志 2021-03-14 09:46:30造时工艺不成熟 5nm 芯片集体 “翻车”，从 7nm 到 5nm 的尴尬...
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