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台积电N3E工艺良率进展超预期
《科创板日报》24日讯，据知名科技网站Tom‘s handware消息，台积电N3E工艺良率超预期，N3E SRAM的良率明显高于N3，其中256Mb SRAM的平均良率约为80%，移动设备以及HPC芯片的良率也为80%左右。据悉，N3E工艺为N3工艺的加...
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台积电N3E工艺良率明显高于N3，进展超预期
据知名科技网站Tom‘s handware消息，台积电$台积电(TSM)$N3E工艺良率超预期...
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台积电N3E工艺良率明显高于N3，进展超预期
据知名科技网站Tom‘s handware消息，台积电N3E工艺良率超预期，N3E SRAM的良率明显高于N3，其中256Mb SRAM的平均良率...
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台积电 N3E 工艺良率超预期，泄露 PPT 显示平均良率超过 80%
PPT 显示，台积电新一代 N3E 工艺良率超过预期，其中 N3E 的 256Mb SRAM 平均良率约为 80%，移动设备以及 HPC 芯片的良率也为 80% 左右，而环式振荡器良率甚至能超过 ...
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台积电 N3E 工艺良率超预期，泄露 PPT 显示平均良率超过 80%
PPT 显示，台积电新一代 N3E 工艺良率超过预期，其中 N3E 的 256Mb SRAM 平均良率约为 80%，移动设备以及 HPC 芯片的良率也为 80%左右，而环式振荡器良率甚至能超过 92%。
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台积电N3E工艺良率进展超预期 苹果M3芯片或将采用
8月24日，据知名科技网站Tom's handware消息，台积电N3E工艺良率进展超预期。台积电 CNMO了解到，台积电N3E工艺良率超预期，N3E SRAM的良率明显高于N3，其中256Mb SRAM的平均良率约为80%，移动...
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台积电N3E工艺良率进展超预期 港美股资讯|华盛通
据报道，台积电N3E工艺良率超预期，N3E SRAM的良率明显高于N3，其中256Mb SRAM的平均良率约为80%，移动设备以及HPC芯片的良率也为80%左右。据悉，N3E工艺为N3工艺的加强版，其性能和功耗表现更好，此前有消息称苹果M3芯片...
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台积电 N3E 工艺良率超预期，泄露 PPT 显示平均良率超过 80%
PPT 显示，台积电新一代 N3E 工艺良率超过预期，其中 N3E 的 256Mb SRAM 平均良率约为 80%，移动设备以及 HPC 芯片的良率也为 80%左右，而环式振荡器良率甚至能超过 92%。
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台积电N3E工艺良率进展超预期 苹果M3芯片或将采用
8月24日，据知名科技网站Tom's handware消息，台积电N3E工艺良率进展超预期。台积电 CNMO了解到，台积电N3E工艺良率超预期，N3E SRAM的良率明显高于N3，其中256Mb SRAM的平均良率约为80%，移动...
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台积电 N3E 工艺良率超预期，泄露 PPT 显示平均良率超过 80%
PPT 显示，台积电新一代 N3E 工艺良率超过预期，其中 N3E 的 256Mb SRAM 平均良率约为 80%，移动设备以及 HPC 芯片的良率也为 80%左右，而环式振荡器良率甚至能超过 92%。
台积电n3e工艺良率超预期
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