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光刻技术概述及其分类
光刻是一种图像复制技术,是 集成电路 工艺中至关重要的一项工艺。简单地说,光刻类似照相复制方法,即将掩膜版上的图形精确地复制到涂在硅片表面的光刻胶或其他掩蔽膜上面,然后在光刻胶或其他...
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光刻技术介绍 几种常见的光刻方法
光刻技术介绍 几种常见的光刻方法-前烘就是在一定温度下,使胶膜里的溶剂缓慢地挥发出来,使胶膜干燥,并增加其粘附性和耐磨性。
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光刻技术的基本原理精选(九篇)公务员期刊
第1篇:光刻技术的基本原理范文 【论文摘要】:讨论纳米科学和技术在新时期里发展所面对的困难和挑战。一系列新的方法将被讨论。我们还将讨论倘若这些困难能够被克服我们可能会有的收获。纳米...
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光刻技术介绍
集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将电路图形传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。 随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2~3个数量级(从毫米级到亚微米级),已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。中文名光刻技术外文名photolithography原 .
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进行光刻工艺的方法
专利名称:进行光刻工艺的方法 技术领域: 本发明提供一种进行光刻工艺的方法,尤指一种利用具有多平台的光刻 机台进行晶片...而叠对精 准度(overlay accuracy)则为控制光刻技术的关键准则之一。...
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光刻技术的工艺流程
常规光刻技术是采用波长为2000~4500埃的紫外光作为图像信息载体,以光致 抗蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和 处理,最终把图像信息传递到 晶片(主要指硅片)或 教激印...
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光刻机为什么这么难造,三种光刻技术之间有哪些区别
接触式光刻技术中,涂有光刻胶的硅片与掩膜版直接接触.由于光刻胶和掩膜版之间紧密接触,因此可以得到比较高的分辨率.接触式曝光的主要问题是容易损伤掩膜版和光刻胶.当掩膜版与硅片接触和对...
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光刻技术的工艺流程
常规光刻技术是采用波长为2000~4500埃的紫外光作为图像信息载体,以光致抗 光刻技术 蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理,最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介...
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光刻技术,就业如何?
光刻的本质就是把临时电路结构复制到硅片上,这些结构首先以图形形式制作在掩模版上。光源透过掩模版把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上。半导体芯片生产主要分为IC设计、IC制造、IC封测三大环节...
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进行光刻工艺的方法
专利名称:进行光刻工艺的方法 技术领域: 本发明提供一种进行光刻工艺的方法,尤指一种利用具有多平台的光刻 机台进行晶片...而叠对精 准度(overlay accuracy)则为控制光刻技术的关键准则之一。...
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