匿名模糊位置

已将您的地理位置进行模糊化处理，谨防第三方窃取您的位置信息。

综合

影视

购物

  • PN结的形成过程

    1717阅读 PN结的形成及特性PPT课件 111阅读

  • PN结是怎么形成的

    本征锗的电离能更小,只有0.72eV.pn结的形成/多晶硅中PN结是怎样形成的？PN结及其形成过程 在杂质半导体中，正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。1、载流子的浓度差产生的...

  • PN结是怎么形成的

    PB结石怎么形成的： 杂质半导体 N型半导体(N为Negative的字头，由于电子带负电荷而得此名)：掺入少量杂质磷元素(或锑元素)的硅晶体(或锗晶体)中，由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代，磷...

  • PN结

    通过外延、掺杂剂扩散或离子注入等工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）衬底上，这两种半导体材料之间的边界或界面称为PN结（英语：PNjunction）。PN结具有单向导电...

  • 对耗尽层、结电容、PN结的一些理解

    对耗尽层、结电容、PN结的一些理解 扩散、漂移：多子的运动称为扩散；少子的运动称为漂移。耗尽层、结电容、PN结：PN结中由于p区和n区的电子空穴发生中和，在结中会形成耗尽区，PN结因此可以叫...

  • pn结耗尽层

    pn结耗尽层是半导体器件中采用最广泛的一个概念，即认为pn结的空间电荷区是一个完全不存在载流子的区域，称为pn结耗尽层；这实际上对于一般的pn结都是一种很好的近似。不管是在分析pn结的势垒...

  • pn结击穿

    pn结击穿（electrical breakdown of p-n junction）对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。...

pn结的教后札记

相关内容
为您找到约 1,000,000 条相关结果
12345678910下一页