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lec是什么元素？360问答
lec是什么元素？应该没有这类元素，从元素周期表可致所有的元素化学方程式，均有一个大写字母和小写字母组成，不可能出现三个。
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inos词根
同源词：1.delectable(引诱、唆使分离出来的de(=away,from)+lec(=entice))adj.令人愉快的.帮找些有关元素周期表的历史故事,越多越好。不过锕氏为人光明磊落，是这个“出于...
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III
III-V族化合物，是元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的N，P，As，Sb形成的化合物，主要包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和氮化镓等。
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III
III-V族半导体化合物制备方法有以下几种：液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)，水平区熔法(HB)和垂直梯度凝固法(VGF)等。薄膜制备方法有液相外延(LPE)，气相外延(VPE)...
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深能级陷阱
元素周期表中有12种元素具有半导体性质,它们是B、C、Si、Ge、灰-Sn、P、灰-As、黑-Sb、S、Se、Te、I,但大多数是不稳定的或制备困难,只有锗 (Ge)、硅(Si)性质优越,是广泛应用...
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III
III-V族半导体化合物制备方法有以下几种：液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)，水平区熔法(HB)和垂直梯度凝固法(VGF)等。薄膜制备方法有液相外延(LPE)，气相外延(VPE)...
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III
III-V族半导体化合物制备方法有以下几种：液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)，水平区熔法(HB)和垂直梯度凝固法(VGF)等。薄膜制备方法有液相外延(LPE)，气相外延(VPE)...
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半导体材料第7 8讲
...合物半导体的能带结构,III一V族化合物半导体是由周期表中IIIA和VA族元素化合而成。 几乎在与锗、硅等第一代元素半导体材料...
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