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  • ICP深硅刻蚀工艺研究

    感应耦合等离子体(Induct ively Coupled Plasma,ICP)刻蚀技术作为微机电系统(MEMS)体微机械加工工艺中的一种重要加工方法，由于其控制精度高、大面积刻蚀均匀性好、刻蚀垂直度好、污染少和刻蚀...

  • ICP刻蚀工艺要点

    1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在（B）RPMA 20000B32000C 40000D180002、北微ICP本底真空和漏率指标为（A）时，设备能够正常工作A 00.1mT2.5mT2mT/minC 0.3-0.5mT0.5mT2.5mT/min3、...

  • ICP刻蚀工艺要点

    4片实验，若实验片数据和外观 OK就正常生产，负责在做 3个SEASON和 4片实验，直到能够生产为止 三，判断题：1, ICP 刻蚀的工艺气体是三氟甲烷（）2，Corial 冷冻机里面装的是 A...

  • ICP

    ICP-RIE（电感耦合等离子体-反应离子刻蚀），这是将ICP与反应性离子刻蚀（RIE）的技术相结合。ICP-RIE 是一种先进的技术，旨在提供高蚀刻速率、高选择性和低损伤处理。由于等离子体可以保持在低压下，因此还提供了出色的轮...

  • 电感耦合等离子体（ICP）刻蚀

    ICP RIE刻蚀是一种先进的技术，旨在实现高刻蚀率、高选择性和低损伤加工。由于等离子体可保持在低压状态，因此还能提供出色的剖面控制。The Cobra ® ICP源可产生均匀、高密度的等离子体，并能...

  • ICP刻蚀工艺要点

    ICP刻蚀工艺要点ICP考试题库,选择题。1ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在B RPMB 32000D18000A 20000C 40000 2北微ICP本底真空和漏率指标为A 时，设备能够正常工作B gt;2.5mTA 00.1

  • 半导体刻蚀工艺技术——ICP概述

    半导体刻蚀工艺技术一一ICP摘要：ICP技术是微纳加工中的常用技术之一，本文简单介绍了ICP刻蚀技术(inductivelycoupled plasma)的基本原理和刻蚀设备的结构，对ICP工艺所涉及的化学、物理过程做...

  • ICP刻蚀工艺要点讲解

    B）RPMB 32000D 18000）时，设备能够正常工作1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在（A 20000C 400002、北微ICP本底真空和漏率指标为（AB2.5mT0.5mT2.5mT/minA0 0.1mT1mT/minC 0.3-0.5mT1.0mT/min3...

  • ICP刻蚀工艺要点

    ICP刻蚀工艺要点ICP考试题库一，选择题。1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在（B）RPMA 20000B 32000C 40000D 180002、北微ICP本底真空和漏率指标为（A）时，设备能够正常工作A 00.1mT2...

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