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  • ICP刻蚀并不是CCP刻蚀的替代应用材料仍有市场

    ICP刻蚀并不是CCP刻蚀的替代应用材料仍有市场 互联网时间 2020.03.31 18:27 分享到微信 热门视频 00:19 外交部：维护朝鲜半岛和平稳定是国际社会普遍期待 01:10 孙颖莎谈失利：用球确实...

  • ICP刻蚀｜日本莎姆克株式会社 上海代表处

    ICP蚀刻系统的等离子体密度是传统的电容耦合等离子体反应离子蚀刻（CCP-RIE）系统的1000倍。它们能够实现更广泛的工艺。然而，要在ICP蚀刻系统中获得均匀的等离子体并不容易。Samco公司开发了...

  • 科普｜半导体刻蚀设备国产化

    电容性等离子体刻蚀CCP：将施加在极板上的射频或直流电源通过电容耦合的方式在反应腔内形成等离子。能量高、精度低，主要用于介质材料刻蚀。电感性等离子体刻蚀ICP：将射频电源的能量经由电感...

  • 在半导体干法刻蚀中，主要有两种设备:电容耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma，CCP)刻.

    在半导体干法刻蚀中，主要有两种设备:电容耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma，CCP)刻蚀、电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP) 两者原理有什么不同?CCP:在上下两个电极板...

  • Dram芯片和3d nand芯片有哪些需要icp刻蚀

    CCP刻蚀使用的是等离子体刻蚀技术，相对于ICP刻蚀，具有更高的深宽比和更好的均匀性。因此，在具体的半导体制造过程中，哪种刻蚀技术更重要取决于芯片的结构和制造工艺的要求。对于一些对电性能...

  • 半导体刻蚀工艺技术——ICP概述

    半导体刻蚀工艺技术一一ICP摘要：ICP技术是微纳加工中的常用技术之一，本文简单介绍了ICP刻蚀技术(inductivelycoupled plasma)的基本原理和刻蚀设备的结构，对ICP工艺所涉及的化学、物理过程做...

  • icp与ccp干法刻蚀原理

    ICP和CCP干法刻蚀的主要区别在于产生等离子体的方式和刻蚀效果。1.产生等离子体的方式：ICP利用感应耦合产生等离子体，而CCP利用电容耦合产生等离子体。2.刻蚀效果：ICP干法刻蚀具有较好的刻蚀...

  • ICP刻蚀简析解析

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ccp和icp刻蚀机区别

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