匿名模糊位置

已将您的地理位置进行模糊化处理，谨防第三方窃取您的位置信息。

综合

影视

购物

  • RF

    RF-CCP(电容耦合)离子源 如图2所示,电容耦合方式是由接地的放电室(由复合系数很小的材料如石英做成)和引入的驱动电极作为耦合元件。驱动电极上镀有溅射产额较低的陶瓷材料以减少离子的对阴极...

  • 半导体刻蚀工艺技术——ICP概述

    Further ethcingTungsten(钨):W(s)+F(g)WFx(g)w(s)+CI(g)一 WClx(g)photoresist(光致抗蚀刻)：Photoerssit+O(g)一 C02(g)+H2O(g)ICP 刻蚀技术作为一种商业化的技术，要求刻蚀效率和刻蚀稳定性高...

  • icp与ccp干法刻蚀原理

    四、ICP与CCP干法刻蚀的区别 ICP和CCP干法刻蚀的主要区别在于产生等离子体的方式和刻蚀效果。1.产生等离子体的方式：ICP利用感应耦合产生等离子体，而CCP利用电容耦合产生等离子体。2.刻蚀效果...

  • 详述蚀刻ICP

    式方发激的 6-8 plasma chamber 型类及理原刻蚀述详 power plasma Lam coil RIE Reactive Ion Etching Inductively coupled plasma ICP TCP transformer coupled plasma Capacitively Coupled ...

  • 2019年国产半导体刻蚀设备领先企业中微公司专题研究：CCP、ICP是先进干法刻蚀设备的主流技术路径

    2019年国产半导体刻蚀设备领先企业中微公司专题研究：CCP、ICP是先进干法刻蚀设备的主流技术路 4.7分（超过98%的文档）1071 阅读 8 2020-02-20 40 页 3.4 MB 满2减1 领取 您还有百元...

  • 蚀刻机ICP和ccp的区别在哪里？

    先对耦合概念进行解释。 耦合：在物理学中，指两个或两个以上的体系或运动形式之间通过各种相互作用而彼此影响（直白的讲就是通过某种方式让彼此之间产生某种关联，建立某种联系）。 一.电容耦合等离子体（CCP）产生原理及其特点 电容耦合等离子体的产生是由射频电源（射频 RF:Radio Frequency,高频交流电）加在平行板电容器两电极板上（①因为面积小的电极板会获得更高的鞘层电压，因此上电极板面积大于下电极板面积，目的在于使wafer获得

  • 请问半导体刻蚀中ICP和CCP的区别、优劣以及应用场景是什么？

    稍微补充一下为什么dielectric etch 要用 CCP. SIO2, Si3N4的化学键能高，需要更高的能量来打破化学键。Plasma 产生特性上CCP中的power 更容易传达到sheath，所以离子能量更高。并且就设备本身来说CCP 设备的power 可以设置为几千甚至几万w， 而ICP 设备的power 使用范围一般低于2000w.

  • 蚀刻机和光刻机有什么区别，原理有什么不一样

    蚀刻机和光刻机性质一样，但精度要求是天壤之别。木匠做细活，一般精确到毫米就行。做芯片用的刻蚀机和光刻机，要精确到纳米。现在的手机芯片，如海思麒麟970，高通骁龙845都是台积电的10纳米...

  • 请问半导体刻蚀中ICP和CCP的区别、优劣以及应用场景是什么？

    知乎 APP 请问半导体刻蚀中ICP和CCP的区别、优劣以及应用场景是什么？悟弥今 科技科普，半导体、云计算、人工智能、机器人、自动驾驶等 2

蚀刻机icp和ccp的区别

相关内容
为您找到约 1,000,000 条相关结果
12345678910下一页