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  • 北方华创研究报告：高端制程产品放量在即

    按等离子产生和控制技术不同，等离子刻蚀主要分为电容耦合等离子体（CCP）和电感耦合等离子体（ICP）。电容耦合等离子体刻蚀是将射频电源接在反应腔上、下电极中的一个或两个上，两个极板之间的...

  • 半导体行业研究之 | 半导体刻蚀设备：国产化的前沿阵地

    刻蚀是复制掩膜图案关键步骤，CCP、ICP、ECR等类刻蚀设备应用广泛 刻蚀是使用化学或者物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程，是完成光刻工艺后复制掩膜图案的关键步骤。刻蚀工艺分为...

  • 刻蚀

    等离子刻蚀ICP和CCP优势介绍 刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差，通常用于工艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。2024-04...

  • PDMS软刻蚀技术的应用

    PDMS（聚二甲基硅氧烷）软刻蚀技术是一种在高分子科学中广泛应用的微制造技术。它能够简捷有效、高精度 地制备出众多材料的微结构，且技术成本低廉，不需要昂贵的设备和苛刻的环境，具有极好的...

  • RIE等离子刻蚀设备

    RIE-200C是在拥有丰富交货业绩的CCP RIE系统"RIE-10NR"的基础上开发的量产型盒式装载系统。该系统可对Si、Poly-Si、SiO₂、SiN等各种硅薄膜进行高精度蚀刻和灰化。采用双盒双臂机械手，PLC控制...

  • 科创板最硬核公司！携手台积电打造最牛芯片生产线 值不值得买？

    ICP较CCP技术要求更高，目前双反应台ICP刻蚀设备正在研发中。公司的ICP刻蚀设备主要是涵盖14纳米、7纳米，5nm技术在和台积电研发阶段。根据招股书显示，中微半导体的设备基本上都已经达到国际...

  • 中微公司，半导体皇冠上最璀璨的明珠！

    技术上，中微同时开发了CCP刻蚀（市场规模48亿美元）、ICP刻蚀（市场规模76亿美元），而北方华创仅包含ICP刻蚀。中微的CCP刻蚀工艺可以覆盖65nm~5nm的微观器件，在国内28nm晶圆厂的市占率为39%...

  • 半导体设备市场，下半年能否延续高增长？蓝鲸财经

    在集成电路核心装备领域，北方华创成功研发出高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）、双大马士革 CCP 刻蚀机、立式炉原子层沉积（ALD）、高介电常数原子层沉积（ALD）等多款具有自主知识产权的...

  • 3D NAND的主要工艺流程

    12，沉积介质层，并用CCP-RIE进行接触孔蚀刻。13，用金属填充接触孔，并制作出连接接触孔的金属导线-Bit line，3D NAND的整个制程结束。文中精简了比较多的重复步骤，实际工艺在数百步以上。注...

  • Samco宣布与瑞士大学合作

    上图：微技术和光子研究所洁净室负责人Marco Cucinelli，Samco-Ucp首席执行官Vinzenz Gangl，以及CCP等离子蚀刻机RIE-10NR和紫外臭氧清洗机UV-2。日本半导体设备公司Samco与瑞士东部应用科学...

蚀刻中icp和ccp的区别

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