匿名模糊位置

已将您的地理位置进行模糊化处理，谨防第三方窃取您的位置信息。

综合

影视

购物

  • 干法刻蚀和清洗（Dry Etch and Cleaning）

    等离子 刻蚀 ICP和CCP优势介绍 刻蚀 可以分为湿法 刻蚀 和 干法刻蚀。湿法 刻蚀 各向异性较差，侧壁容易产生横向 刻蚀 造成 刻蚀 偏差，通常用于 什么是线 刻蚀 干法 线 刻蚀 的常见形貌介绍 刻...

  • ICP

    ICP-RIE设备可以简化如下图，整个设备内部是一个真空腔室，包括以下几部分：Gas Inlet（用于刻蚀气体进气口），ICP Generator（用于刻蚀气体等离子体产生），CCP Generator（用于加速前面产生的...

  • 半导体刻蚀工艺技术——ICP概述

    Further ethcingTungsten(钨):W(s)+F(g)WFx(g)w(s)+CI(g)一 WClx(g)photoresist(光致抗蚀刻)：Photoerssit+O(g)一 C02(g)+H2O(g)ICP 刻蚀技术作为一种商业化的技术，要求刻蚀效率和刻蚀稳定性高...

  • 全球及中国电容性等离子体（CCP）与电感性等离子体（ICP）蚀刻机行业市场发展现状及发展前景研究报告(2024

    报刊 杂志的基础信息以及电容性等离子体（CCP）与电感性等离子体（ICP）蚀刻机行业研究单位等公布和提供的大量资料。报告对全球及中国电容性等离子体（CCP）与电感性等离子体（ICP）蚀刻机行业...

  • 2019年国产半导体刻蚀设备领先企业中微公司专题研究：CCP、ICP是先进干法刻蚀设备的主流技术路径

    2019年国产半导体刻蚀设备领先企业中微公司专题研究：CCP、ICP是先进干法刻蚀设备的主流技术路 4.7分（超过98%的文档）1071 阅读 8 2020-02-20 40 页 3.4 MB 满2减1 领取 您还有百元...

  • 半导体前道设备行业研究

    干法刻蚀在半导体刻蚀中占主流地位，ICP 与 CCP 是应用最广泛的刻蚀设备。刻蚀是使用化学或 者物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀，干法刻 蚀市场占...

  • 详述蚀刻ICP

    式方发激的 6-8 plasma chamber 型类及理原刻蚀述详 power plasma Lam coil RIE Reactive Ion Etching Inductively coupled plasma ICP TCP transformer coupled plasma Capacitively Coupled ...

  • 请问半导体刻蚀中ICP和CCP的区别、优劣以及应用场景是什么？

    稍微补充一下为什么dielectric etch 要用 CCP. SIO2, Si3N4的化学键能高，需要更高的能量来打破化学键。Plasma 产生特性上CCP中的power 更容易传达到sheath，所以离子能量更高。并且就设备本身来说CCP 设备的power 可以设置为几千甚至几万w， 而ICP 设备的power 使用范围一般低于2000w.

  • 详述蚀刻ICP

    详述蚀刻原理及类型 不要单一的理解plasma的激发方式 一般来讲 常见的有 RIE Reactive Ion Etching ICP Inductively coupled plasma TCP transformer coupled plasma CCP Capacitively Coupled ...

  • 蚀刻机ICP和ccp的区别在哪里？

    ccp也有线圈的吗？ 当前dry etch机台种类较多，同类设备不同厂商设计也各不相同（避免专利纠纷）。因为Plasma是靠外加能量的输入来维持刻蚀gas的等离子体状态，不同的能量输入方式以及机台结构的设计对等离子体的性能及应用均会产生很大影响。最常见也最常用的dry etch设备为ICP（Inductive Coupled Plasma ：电感耦合等离子体）/CCP（Capacitive Coupled Plasma：电容耦合等离子体

蚀刻中icp和ccp的区别

相关内容
为您找到约 1,000,000 条相关结果
12345678910下一页