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  • 绝缘体不容易导电

    绝缘体与半导体的能带结构相同，只是禁带宽度不同；因为绝缘体的禁带宽度较大，在室温下不能产生出载流子（电子和空穴），故不导电。但是绝缘体不导电，这也是相对的，当温度很高时，绝缘体也可以转变为半导体。例如，金刚石是...为什么绝缘体不能导电...

  • 本征击穿电场

    固体电介质中存在少量自由传导电子(处于导带能 .更多解释>>1. 在汇集实验数据的基础上,提出了对半导体和绝缘体材料的本征击穿电场与其禁带宽度之间关系的通用表达式。根据半导体与绝缘体本征击穿电场规律的不同...

  • 从能带理论介绍陶瓷材料氮化硅的绝缘性

    4～4.2eV,绝缘体的禁带宽度大于4.5eV。氮化硅分为富硅氮化硅和富氮氮化硅，前者的带隙一般在2-3ev左右，而 富氮氮化硅 在4ev以上，纯氮化硅带隙是4.6ev。纯二氧化硅带隙在8ev以上 影响氮化硅带隙的因素（购买原料检测时需注意成分比例） ： 1.氮含量：氮含量越高，氮原子与硅原子形成键合作用也就越强，导致价带和导带之间能量差距变小 2.氧含量：氧原子与硅原子形成键合作用，会影响氮原子与硅原子形成的键合作用，从而影响氮化硅带

  • 绝缘体与半导体材料能带结构的不同点在于：A、绝对零度时，绝缘体的导带中没有电子，而半导体的导带中有少量的电子

    绝缘体与半导体材料能带结构的不同点在于：A、绝对零度时，绝缘体的导带中没有电子，而半导体的导带中有少量的电子 B、半导体的禁带宽度比绝缘体要大一些 C、与绝缘体相比，半导体材料在室温...

  • 半导体材料的五大特性半导体材料、特性、半导体、导电性、禁带宽度、杂质、载流子浓度

    半导体材料具有导电性介于金属与绝缘体之间，主要特性包括禁带宽度窄、杂质掺杂显著影响导电性、载流子浓度可调、高温特性优良、热电效应显著。理想股票技术论坛...

  • 我国氧化镓新进展！从硅到氧化镓，半导体是如何“进化”的？氧化|禁带|绝缘体|能带

    而绝缘体的禁带宽度很大，电子要跃迁到导带需要很大的能量，只有极少的电子能越过禁带，因此绝缘体的导电能力极差。而半导体的禁带宽度较绝缘体小，电子越过禁带需要的能量小，有更多的电子能够...

  • 半导体材料知识点

    半导体 半导体材料具有较小的禁带宽度,其值介于绝缘体（>2eV）和导体之间。这个禁带宽度允许电子在获得能量时从价带跃迁到导带。 圆片制造中最重要的半导体材料是硅。 硅是一种元素半导体材料，因为它有4个价电子，与其他元素一起位于周期表中的ⅣA族。硅中价层电子的数目使它正好位于优质导体（1个价电子）和绝缘体（8个价电子）的中间。纯硅是指没有杂质或者其他物质污染的本征硅...

  • 发光二极管的秘密

    而绝缘体与半导体是类似的，绝缘体晶体（比如金刚石）的禁带宽度很宽，价带电子跃迁到导带需要很高的能量，在常温下几乎没有价带电子被激发到导带，所以绝缘体在常温下几乎不导电。这里的半导体...

  • 导体、绝缘体、半导体的能级结构有何不同

    绝缘体和半导体在满带和空带之间都有一个无能级存在的禁带。绝缘体的禁带宽度一般很宽，Eg 约为3 ~ 6eV，半导体的禁带宽度较窄， Eg约为 0.1 ~ 2eV。

  • 能带理论

    绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大能量，在通常温度下，能激发到导带去的电子很少，所以导电性很差。半导体： 半导体禁带宽度比较小，数量级在1eV左右，在 通常温度 下已有不少电于被激发...

绝缘体的禁带宽度

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