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请从能带的角度解释导体、半导体和绝缘体的区别。
从能带的观点来看，半导体和绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大（6~7eV），室温下本征激发的载流子近乎为零，所以绝缘体室温下不能导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV，室温下已经有...
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聚乙烯材料与紫外线试验箱的微观形态
聚乙烯与紫外线试验箱由于其良好的电气性能而广泛应用于电介质领域，如有很大禁带宽度的绝缘体（约为8.8eV），再加上的机械性能。因此，对聚合物材料的化学和形态学特性特别是聚乙烯进行研究引起...
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第三代半导体材料－碳化硅
而半导体与绝缘体的区别在于禁带宽度的不同，绝缘体的禁带宽度非常大，使得电子无法通过自身的热能量跃迁至导带与从而导电。从能带角度看，可以划分为三个半导体材料时代。第一代半导体材料以硅...
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应力下SmNiO
结合电输运性质与红外透射实验的综合表征研究,论证了双向拉伸应变引起的晶格双向拉伸畸变,可以引起SmNiO 3 的禁带宽度的展宽,从而稳定绝缘体相并提高金属-绝缘相转变温度.进一步结合近边吸收同步辐射实验表征, 揭示了拉伸应变...
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《物理（工）》串讲笔记18
空带和满带之间禁带。 绝缘体禁带宽度为3～6ev所以电子不能获得足够能量去导带，所以不导电。 半导体禁带相对窄为0.1～2ev因此在激发状态下可以有电子去导带，所以半导体电阻在导体和绝缘体之间进行导电。 半导体又分为p型和n型半导体，划分标...
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Products
R-AB-321 Ag2Te晶体 材料名称：Ag2Te 性质分类：拓扑绝缘体，热电材料，红外材料，离子导体 禁带宽度：0 eV 合成方法：CVT 晶体结构：monoclinic 剥离难易程度：难 西安瑞禧生物科技有限公司提供多种科研试剂材料 查看详细...
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Products
拓扑绝缘体 禁带宽度：0 eV 合成方法：CVT 晶体结构：monoclinic 剥离难易程度：难 西安瑞禧生物科技有限公司提供多种科研试剂材料 材料名称：Ag2Te 性质分类：拓扑绝缘体，热电材料，红外材料，离子导体 禁带宽度：0 eV 合成方法：CVT 晶体结构：monoclinic 剥离难易程度：难 西安瑞禧生物科技有限公司提供多种科研试剂材料...
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本征激发
如果是电场加速作用使得价电子受到高能量电子的碰撞、发生电离而成为自由电子，这是碰撞电离本征激发；这种本征激发所需要的平均能量大约为禁带宽度的1.5倍。
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