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台积电N3P工艺来了 良率接近N3E 性能提升功耗降低
台积电的N3P工艺采用光学微缩技术，相比与N3B的宽松版本N3E，它以比N3E更低的成本提供了更高的性能效率。这一微缩技术有望在相同漏电情况下将性能提高4%，或者在相同时钟频率下将功耗降低9%。...
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分析师：台积电 3nm 工艺良率在 60% 至 80% 之间
相比之下，三星代工在早期阶段的 3GAE 工艺良率在 10%到 20%不等，而且没有改善。...然后在 2023 年晚些时候转向更稳定、更高效的全面生产的 N3E，随后在 2024 年转向 N3P，这一年台积电还将在新竹...
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Echo
PPT 显示，台积电新一代 N3E 工艺良率超过预期，其中 N3E 的 256Mb SRAM 平均良率约为 80%，移动设备以及 HPC 芯片的良率也为 80%左右，而环式振荡器良率甚至能超过 92%。本文由LinkNemo爬虫...
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台积电N3E工艺良率明显高于N3，进展超预期
据知名科技网站Tom‘s handware消息，台积电$台积电(TSM)$N3E工艺良率超预期...
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台积电 N3E 工艺良率超预期，泄露 PPT 显示平均良率超过 80%
PPT 显示，台积电新一代 N3E 工艺良率超过预期，其中 N3E 的 256Mb SRAM 平均良率约为 80%，移动设备以及 HPC 芯片的良率也为 80%左右，而环式振荡器良率甚至能超过 92%。
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A18 Pro芯片首发台积电N3E工艺 良率和金属堆叠性能得到大提升
A18 Pro芯片将采用全新的N3E工艺，而今年的A17 Pro芯片则采用的是N3B工艺，但是后者的良率和金属堆叠性能很差。而N3E工艺有望改善这些问题，将使用更少的EUV光刻层，从25层缩减到21层，投产难度...
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台积电 N3E 工艺良率超预期，泄露 PPT 显示平均良率超过 80%
PPT 显示，台积电新一代 N3E 工艺良率超过预期，其中 N3E 的 256Mb SRAM 平均良率约为 80%，移动设备以及 HPC 芯片的良率也为 80%左右，而环式振荡器良率甚至能超过 92%。
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台积电N3E工艺良率明显高于N3，进展超预期
美股研究社获悉，据《科创板日报》24日讯，据知名科技网站Tom‘s handware消息，台积电N3E工艺良率超预期，N3E SRAM的良率明显高于N3，其中256Mb SRAM的平均良率约为80%，移动设备以及HPC芯片的...
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台积电N3P工艺来了 良率接近N3E 性能提升功耗降低
太平洋科技资讯：台积电最新3纳米级工艺N3P预计将在2024年下半年进入量产，相比当前的N3E工艺，N3P将提供更高的性能和效率。此外，台积电表示N3E已经投入量产，并取得了巨大的良率。对于尖端...
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台积电N3P工艺来了 良率接近N3E 性能提升功耗降低
太平洋科技资讯：台积电最新3纳米级工艺N3P预计将在2024年下半年进入量产，相比当前的N3E工艺，N3P将提供更高的性能和效率。此外，台积电表示N3E已经投入量产，并取得了巨大的良率。对于尖端...
台积电n3e工艺良率
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