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与半导体相比较,绝缘体的 禁带宽度 ( ) A.较大B.较小C.相等D.不一定
与半导体相比较,绝缘体的 禁带宽度()A.较大B.较小C.相等D.不一定 题目 与半导体相比较,绝缘体的 禁带宽度()A.较大B.较小C.相等D.不一定 题目 与半导体相比较,绝缘体的...
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用能带理论说明导体、半导体与绝缘体之间的区别.
前面的回答基本正确但没有用能带理论说明.导体的费米能在导带中间,这意味着导带顶以上费米能以下的电子都可以用来导电.半导体和绝缘体费米能在禁带中间,这意味着在温度为0K时,导带没有电子,价带全部填满电子,不导电...
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半导体绝缘体的禁带宽度和金属功函数
半导体绝缘体的禁带宽度和金属功函数 搜文档 半导体绝缘体的禁带宽度和金属功函数 上传人:文*IP属地:贵州 上传时间:2020-11-23 格式:DOC 页数:1 大小:25KB 20 认证信息 认证类型 ...
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请从能带的角度解释导体、半导体和绝缘体的区别。
半导体的能带结构,与绝缘体的能带相似,只是禁带较窄。【简答题】从能带结构角度解释导体、半导体和绝缘体的导电机理 导体材料存在部分填充的能带,因此可以在无任何外界能量激发时参与导电;半导体中不存在部分填充能带,但其最外层的空带(导带)和次外层的满带(价带)之间的能量间距即禁带宽度较小,在热、光等外界激发作用下,其价带电子可以激发至导带,从而使两个能带参与导电。绝缘体中不存在部分填充能带,且其最外层的空带(导带)和次外层的满带(价带)之间的
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半导体绝缘体的禁带宽度和金属功函数
千文网小编为你整理了多篇相关的《半导体绝缘体的禁带宽度和金属功函数》,但愿对你工作学习有帮助,当然你在千文网还可以找到更多《半导体绝缘体的禁带宽度和金属功函数》。半导体:(室温)硅:1.12eV锗:0.67eV砷化镓:1.43eV氧...
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半导体和绝缘体的能带结构相似,只是半导体的禁带宽度较小,在外界光、热等作用下.
半导体和绝缘体的能带结构相似,只是半导体的禁带宽度较小,在外界光、热等作用下,满带中的电子可以跃过禁带到空带中,从而出现了满带中的电子空穴导电和空带中自有电子导电。参考答案:对 ...
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半导体绝缘体的禁带宽度和金属功函数
内容提示:半导体:(室温)硅:1.12eV 锗:0.67eV 砷化镓:1.43eV 氧化锌:3.3 eV 绝缘体:金刚石:6-7eV,金属的功函数:一些金属的功函数 单位:电子伏特,eV 金属 功函数 金属 功函数 金属 功...
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本征半导体的能带与绝缘体的能带有何异同?
解:晶体电子的状态由分立的原子能级分裂为能带,电子填充能带的情况分为满带、不满带和空带,对于半导体和绝缘体,只存在满带和空带,最高满带称价带,最低满带称导带,导带与价带之间的间隔称带隙,一般绝缘体带隙较大,半导体带隙较...
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半导体绝缘体的禁带宽度和金属功函数
千文网小编为你整理了多篇相关的《半导体绝缘体的禁带宽度和金属功函数》,但愿对你工作学习有帮助,当然你在千文网还可以找到更多《半导体绝缘体的禁带宽度和金属功函数》。第一篇:半导体绝缘体的禁带宽度和金属功函数半导体:(室温...
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半导体导体和绝缘体之间的差别
但在热、光等外界因素的作用下,可以使少量价带中的电子越过禁带,跃迁到导带上去成为载流子.\x0d绝缘体和半导体的区别主要是禁的宽度不同.半导体的禁带很窄,(一般低于3ev),绝缘体的禁带宽一些,电子的跃迁困难得多.因此,绝缘体...
半导体和绝缘体的禁带
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