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台积电披露3nm工艺信息 晶体管密度是5nm工艺1.7倍
能耗降低25%到30%，台积电方面承诺3nm工艺的晶体管密度将是5nm工艺的1.7倍。同第一代的5nm工艺相比，3nm工艺将使芯片的性能提升10%到15%，能耗降低25%到30%，台积电方面承诺3nm工艺的晶体管密度将是5nm工艺的1.7倍。 外媒在报道中表示，台积电的3nm工艺的晶体管密度，将是第一代的7nm工艺的3倍，可使芯片的能耗降低51%，性能提升32%。 按计划，台积电的 3nm工艺，将在明年进入风险试产，2022年下半年大规
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台积电披露3nm工艺更多细节信息 晶体管密度是5nm工艺1.7倍
他们的3nm工艺，仍将继续使用鳍式场效应（FinFET)晶体管，不会采用三星计划在3nm工艺节点上使用的环绕式闸极电晶体（GAA）。同第一代的5nm工艺相比，3nm工艺将使芯片的性能提升10%到15%，能耗...
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明明是5nm，却说4nm，台积电、三星工艺造假又被吐槽了
但到了10nm后，台积电、三星的工艺节点，与晶体管密度就开始脱钩了，不再具备严格的相关性了。如上图所示，这是某机构根据台积电、三星、intel的技术资料，列出来的制程工艺与晶体管密度的对比...
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台积电披露3nm工艺更多细节信息 晶体管密度是5nm工艺1.7倍
台积电方面承诺3nm工艺的晶体管密度将是5nm工艺的1.7倍。 外媒在报道中表示，台积电的3nm工艺的晶体管密度，将是第一代的7nm工艺的3倍，可使芯片的能耗降低51%，性能提升32%。 外媒在报道中表示，台积电的3nm工艺的晶体管密度，将是第一代的7nm工艺的3倍，可使芯片的能耗降低51%，性能提升32%。 按计划，台积电的 3nm工艺，将在明年进入风险试产，2022年下半年大规模量产。
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台积电披露3nm工艺更多细节信息 晶体管密度是5nm工艺1.7倍
他们的3nm工艺，仍将继续使用鳍式场效应（FinFET)晶体管，不会采用三星计划在3nm工艺节点上使用的环绕式闸极电晶体（GAA）。同第一代的5nm工艺相比，3nm工艺将使芯片的性能提升10%到15%，能耗...
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台积电披露3nm工艺更多细节信息 晶体管密度是5nm工艺1.7倍
他们的3nm工艺，仍将继续使用鳍式场效应（FinFET)晶体管，不会采用三星计划在3nm工艺节点上使用的环绕式闸极电晶体（GAA）。同第一代的5nm工艺相比，3nm工艺将使芯片的性能提升10%到15%，能耗...
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台积电披露3nm工艺更多细节信息 晶体管密度是5nm工艺1.7倍
他们的3nm工艺，仍将继续使用鳍式场效应（FinFET)晶体管，不会采用三星计划在3nm工艺节点上使用的环绕式闸极电晶体（GAA）。同第一代的5nm工艺相比，3nm工艺将使芯片的性能提升10%到15%，能耗...
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三星5nm工艺仅相当于台积电的7nm？
通常，我们不太关心密度，但是性能和功率效率是影响芯片和最终产品体验的关键因素。来源：Anandtech 查看原图 75K
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明明是5nm，却说4nm，台积电、三星工艺造假又被吐槽了
但到了10nm后，台积电、三星的工艺节点，与晶体管密度就开始脱钩了，不再具备严格的相关性了。如上图所示，这是某机构根据台积电、三星、intel的技术资料，列出来的制程工艺与晶体管密度的对比...
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三星5nm工艺仅相当于台积电的7nm？
通常，我们不太关心密度，但是性能和功率效率是影响芯片和最终产品体验的关键因素。
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