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外媒：三星代生产计划曝光 6nm/5nm/4nm制程工艺均在其中
三星的6LPP nm是三星7nm LPP的精制版，提供更高（~10％）的晶体管密度，更低的功耗，但可以重复使用最初为7nm LPP设计的IP。三星7nm LPP生产技术发展的下一步将是其5nm LPE制造工艺。与6nm LPP...
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外媒：三星代生产计划曝光 6nm/5nm/4nm制程工艺均在其中
三星的6LPP nm是三星7nm LPP的精制版，提供更高（~10％）的晶体管密度，更低的功耗，但可以重复使用最初为7nm LPP设计的IP。三星7nm LPP生产技术发展的下一步将是其5nm LPE制造工艺。与6nm LPP...
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三星5nm工艺仅相当于台积电的7nm？
通常，我们不太关心密度，但是性能和功率效率是影响芯片和最终产品体验的关键因素。来源：Anandtech 查看原图 75K
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台积电一骑绝尘将持续多长时间？5nm工艺三星差距“拉大”
除了晶体管密度大涨之外，台积电 5nm工艺的性能也会显著提升，毕竟这是重要节点。台积电表示，与7nm工艺相比，同样的性能下5nm工艺功耗降低30%，同样的功耗下性能提升15%。而据三星此前的分析，...
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别太相信台积电、三星的5nm、3nm工艺，掺假挺严重的
近日 Digitimes分析了三星、台积电、Intel及IBM四家的半导体工艺密度问题，对比了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的情况，我们发现或许只有intel是清白的，其它几家的工艺真的水分太大了。为何这么说...
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三星突然宣布11nm工艺：后边还有10/9/8/7/6/5nm
11LPP工艺将填补三星14nm、10nm之间的空白，号称可在同等晶体管数量和功耗下比14LPP工艺提升15％的性能，或者降低10％的功耗，另外晶体管密度也有所提高。三星计划2018年上半年投产11LPP工艺。未来，三星还一路准备了9nm、8nm、7nm...
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数据说话：全球最高工艺EUV 5nm
三星表示他们的5nm工艺密度比7nm提高了25％，性能提升10％或功耗降低20％。据我们所知，三星的7LPP和5LPE之间的差异是6轨单元高度和SDB。这导致密度提高1.33倍。这与 台积电 宣布密度提高1.8倍...
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传三星5nm“翻车”？先进工艺恐欲速不达
从 晶体管 密度上来看，三星的5LPE工艺密度为127 MTr/mm2，而台积电的N5工艺密度为173 MTr/mm2，后者明显占优，但这与...
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明明是5nm，却说4nm，台积电、三星工艺造假又被吐槽了
但到了10nm后，台积电、三星的工艺节点，与晶体管密度就开始脱钩了，不再具备严格的相关性了。如上图所示，这是某机构根据台积电、三星、intel的技术资料，列出来的制程工艺与晶体管密度的对比...
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台积电披露3nm工艺更多细节信息 晶体管密度是5nm工艺1.7倍
他们的3nm工艺，仍将继续使用鳍式场效应（FinFET)晶体管，不会采用三星计划在3nm工艺节点上使用的环绕式闸极电晶体（GAA）。同第一代的5nm工艺相比，3nm工艺将使芯片的性能提升10%到15%，能耗降低25%到30%，台积电方面承诺3nm工艺...
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